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消息稱(chēng)蘋(píng)果正測試 ALD 工藝，為下一代 iPhone Pro 鏡頭添加抗反射光學(xué)涂層
- IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 近日在其 Naver 博客上曝料，表示從蘋(píng)果供應鏈處獲悉，蘋(píng)果正測試新的抗反射光學(xué)涂層技術(shù)，可以減少鏡頭炫光和鬼影等偽影，從而提高照片質(zhì)量。供應鏈消息稱(chēng)蘋(píng)果正在考慮在 iPhone 相機鏡頭制造工藝中，引入新的原子層沉積（ALD）設備。原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種基于連續使用氣相化學(xué)過(guò)程的薄膜沉積技術(shù)，將物質(zhì)以單原子膜形式逐層鍍在襯底表面的方法。ALD 是一種真正的納米技術(shù)
- 關(guān)鍵字： ALD iPhone Apple
建設高端半導體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造
- 思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續建設全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會(huì )現場(chǎng)精彩瞬間思銳智能離子注入機（IMP）模型根據SEMI的數據，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷(xiāo)售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區半導體設備銷(xiāo)售額同比增長(cháng)28.3%。中國對成熟節點(diǎn)技術(shù)表現出了強勁的需求和消費能力?？v觀(guān)全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
- 關(guān)鍵字： 高端半導體裝備 SRII 集成電路制造 思銳智能 SEMICON China 離子注入 IMP 原子層沉積 ALD
立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時(shí)代新維度
- 日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設備”為主題的第十屆（2022）中國半導體設備年會(huì )（CSEAC）在無(wú)錫太湖國際博覽中心隆重召開(kāi)。中國集成電路創(chuàng )新聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)、中國半導體協(xié)會(huì )集成電路分會(huì )理事長(cháng)葉甜春在致辭中強調，中國集成電路發(fā)展到現在，確實(shí)需要進(jìn)入新的階段。這帶來(lái)的變化就是從被動(dòng)到主動(dòng)的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統應用、設計、制造、封測、裝備、裁量、零部件形成內循環(huán)，然后對接國際資源構建國內國際雙循環(huán)，最終主動(dòng)打造一個(gè)以我為主的全球化的新生態(tài)。在百年未有之大變局下，半導體產(chǎn)業(yè)同樣迎接巨變。隨著(zhù)半
- 關(guān)鍵字： 思銳智能 ALD 超摩爾時(shí)代
創(chuàng )新，引領(lǐng)未來(lái)
- 原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當前及未來(lái)工藝節點(diǎn)相關(guān)的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著(zhù)技術(shù)節點(diǎn)以驚人的速度持續進(jìn)步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項持久的挑戰。 原子層沉積工藝依靠專(zhuān)業(yè)的高性能原子層沉積閥在數百萬(wàn)個(gè)脈沖中輸送精確的化學(xué)品劑量，構建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學(xué)品劑量的閥門(mén)必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應時(shí)間、高溫高流量應用
- 關(guān)鍵字： 原子層沉積 ALD 世偉洛克 超高純隔膜閥
原子級工藝實(shí)現納米級圖形結構的要求
- 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士?分享了他對這個(gè)話(huà)題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術(shù)節點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴格的控制。最先進(jìn)的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導體制造已經(jīng)跨越了從納米級到原子級工藝的門(mén)檻。工程師現在必須關(guān)注結構的尺寸變化，僅相當于幾個(gè)原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數量，進(jìn)一步限制了每個(gè)步驟允許的變化。3D N
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國內首臺集成電路ALD設備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心
- 近日，由北方華創(chuàng )下屬子公司北方華創(chuàng )微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng )微電子為國產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)的應用再添新秀。 ALD設備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線(xiàn)寬發(fā)展到28納米節點(diǎn)后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創(chuàng )微電子自2014年開(kāi)始布局ALD設備的開(kāi)發(fā)計劃，歷時(shí)四年，成功推出中國首臺應
- 關(guān)鍵字： ALD 集成電路
液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)加強高介電常數鋯基前驅體的專(zhuān)利保護
- 液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)線(xiàn)近日宣布，其應用于半導體制造的前驅體ZyALD已獲得中國專(zhuān)利局授予的相關(guān)專(zhuān)利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專(zhuān)利的國家。此外，相關(guān)專(zhuān)利的申請工作在其他國家及地區也預期順利。ZyALD及其它類(lèi)似分子應用于高介電常數沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專(zhuān)利，另有13項專(zhuān)利正在申請中。 ZyALD是上述已獲專(zhuān)利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實(shí)現高溫條
- 關(guān)鍵字： 液化空氣 ZyALD ALD
ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在轉換到3D結構，進(jìn)而導致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過(guò)去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀(guān)點(diǎn)而言，過(guò)渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數對后閘極 (gate last) 處理的需求來(lái)說(shuō)，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠(chǎng) ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專(zhuān)輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導
- 關(guān)鍵字： 半導體 FinFET ALD
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